《Journal Of Semiconductors》中文名稱：《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》，由Institute of Physics Publishing出版商出版，出版周期12 issues/year。

創(chuàng)刊于1980年，是中國電子學(xué)會(huì)和中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所主辦的學(xué)術(shù)刊物。它報(bào)道半導(dǎo)體物理學(xué)、半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)和相關(guān)科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)最新的科研成果和技術(shù)進(jìn)展，內(nèi)容包括半導(dǎo)體超晶格和微結(jié)構(gòu)物理，半導(dǎo)體材料物理，包括量子點(diǎn)和量子線等材料在內(nèi)的新型半導(dǎo)體材料的生長及性質(zhì)測試，半導(dǎo)體器件物理，新型半導(dǎo)體器件，集成電路的CAD設(shè)計(jì)和研制，新工藝，半導(dǎo)體光電子器件和光電集成，與半導(dǎo)體器件相關(guān)的薄膜生長工藝，性質(zhì)和應(yīng)用等等。本刊與物理類期刊和電子類期刊不同，是以半導(dǎo)體和相關(guān)材料為中心的，從物理，材料，器件到應(yīng)用的，從研究到技術(shù)開發(fā)的，跨越物理和信息兩個(gè)學(xué)科的綜合性學(xué)術(shù)刊物。《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》發(fā)表中、英文稿件。《半導(dǎo)體學(xué)報(bào)》被世界四大檢索系統(tǒng)（美國工程索引(EI)，化學(xué)文摘(CA)，英國科學(xué)文摘(SA)，俄羅斯文摘雜志(РЖ)）收錄。

投稿《Journal Of Semiconductors》需要準(zhǔn)備的文件可詳細(xì)閱讀以下要求：

文章要求：

1、建議稿件控制10頁以上，文章撰寫語言為英語；（單欄格式，單倍行距，內(nèi)容10號(hào)字體，文稿類型包含：原創(chuàng)研究(Original Research)、案例報(bào)告(Case Report)、文獻(xiàn)綜述(Literature Review)等；文件格式包含word、PDF、LaTeX等。

2、稿件重復(fù)率控制10%以內(nèi)，論文務(wù)必保證原創(chuàng)性、圖標(biāo)、公式、引文等要素齊備，保證附屬資料的完整。已發(fā)表或引用過度的文章將不會(huì)被出版和檢索，禁止一稿多投，拒絕抄襲、機(jī)械性的稿件。

3、稿件必須有較好的英語表達(dá)水平，有圖，有表，有公式，有數(shù)據(jù)或設(shè)計(jì)，有算法（方案，模型），實(shí)驗(yàn)，仿真等；參考文獻(xiàn)控制25條以上，參考文獻(xiàn)引用一半以上控制在近5年以內(nèi)。

圖片和圖表要求：

1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ，TIFF格式 使用LZW壓縮。

2、文件大小最大不超過20MB，不要以單個(gè)文件的形式上傳數(shù)據(jù)。

3、彩色圖片的分辨率≥300dpi；黑白圖片的分辨率在≥500dpi；line art圖片類型的分辨率≥1000dpi；色彩模式建議采用RGB，除非期刊注明要CMYK。

4、線條不要細(xì)于0.25pt,也不能太粗，超過1.5pt,過細(xì)或過粗都影響美觀。

5、表格一般和manuscrript放置在一個(gè)word文檔里部分期刊 需要單獨(dú)上傳表格。

作者信息：

1、包括作者姓名、最高學(xué)位，作者單位（精確到部門），郵箱，地址，郵編，關(guān)鍵詞，內(nèi)容，總結(jié)，項(xiàng)目基金，參考文獻(xiàn)，作者相片+簡介（一定要確保作者信息準(zhǔn)確無誤，提交稿件之后這部分不能再作改動(dòng)）。

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