國際標(biāo)準(zhǔn)簡稱：MICROELECTRON J
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《Microelectronics Journal》是一本專注于ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC領(lǐng)域的English學(xué)術(shù)期刊，創(chuàng)刊于1967年，由Elsevier出版商出版，出版周期Monthly。該刊發(fā)文范圍涵蓋ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC等領(lǐng)域，旨在及時、準(zhǔn)確、全面地報道國內(nèi)外ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工作者在該領(lǐng)域的科學(xué)研究等工作中取得的經(jīng)驗、科研成果、技術(shù)革新、學(xué)術(shù)動態(tài)等。該刊已被SCIE數(shù)據(jù)庫收錄，在中科院最新升級版分區(qū)表中，該刊分區(qū)信息為大類學(xué)科工程技術(shù)3區(qū)，2023年影響因子為1.9。
Published since 1969, the Microelectronics Journal is an international forum for the dissemination of research and applications of microelectronic systems, circuits, and emerging technologies. Papers published in the Microelectronics Journal have undergone peer review to ensure originality, relevance, and timeliness. The journal thus provides a worldwide, regular, and comprehensive update on microelectronic circuits and systems.
The Microelectronics Journal invites papers describing significant research and applications in all of the areas listed below. Comprehensive review/survey papers covering recent developments will also be considered. The Microelectronics Journal covers circuits and systems. This topic includes but is not limited to: Analog, digital, mixed, and RF circuits and related design methodologies; Logic, architectural, and system level synthesis; Testing, design for testability, built-in self-test; Area, power, and thermal analysis and design; Mixed-domain simulation and design; Embedded systems; Non-von Neumann computing and related technologies and circuits; Design and test of high complexity systems integration; SoC, NoC, SIP, and NIP design and test; 3-D integration design and analysis; Emerging device technologies and circuits, such as FinFETs, SETs, spintronics, SFQ, MTJ, etc.
Application aspects such as signal and image processing including circuits for cryptography, sensors, and actuators including sensor networks, reliability and quality issues, and economic models are also welcome.
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 3區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 4區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
| 大類學(xué)科 | 分區(qū) | 小類學(xué)科 | 分區(qū) | Top期刊 | 綜述期刊 |
| 工程技術(shù) | 3區(qū) | ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 | 4區(qū) 4區(qū) | 否 | 否 |
中科院分區(qū)：中科院分區(qū)是SCI期刊分區(qū)的一種，是由中國科學(xué)院國家科學(xué)圖書館制定出來的分區(qū)。主要有兩個版本，即基礎(chǔ)版和升級版。2019年中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心期刊分區(qū)表推出了升級版，實現(xiàn)了基礎(chǔ)版和升級版的并存過渡；升級版是對基礎(chǔ)版的延續(xù)和改進(jìn)，將期刊由基礎(chǔ)版的13個學(xué)科擴(kuò)展至18個，科研評價將更加明確。
| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 211 / 352 |
40.2%
|
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q4 | 110 / 140 |
21.8%
|
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q3 | 238 / 354 |
32.91%
|
| 學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY | SCIE | Q3 | 94 / 140 |
33.21%
|
JCR分區(qū)：JCR（Journal Citation Reports）由科睿唯安公司（前身為湯森路透）開發(fā)。JCR沒有設(shè)置大類,只將期刊分為176個具體學(xué)科，也就是中科院分區(qū)中的小類學(xué)科?；诓煌瑢W(xué)科的當(dāng)年影響因子高低進(jìn)行排序，將期刊的數(shù)量均勻分為四個部分，Q1區(qū)代表學(xué)科分類中影響因子排名前25%的期刊，以此類推，Q2區(qū)為前25%-50%期刊，Q3區(qū)為前50%-75%期刊，Q4區(qū)為75%以后期刊。
CiteScore排名：
| 學(xué)科類別 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Condensed Matter Physics | Q2 | 181 / 434 |
58%
|
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Electrical and Electronic Engineering | Q2 | 332 / 797 |
58%
|
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics | Q2 | 101 / 224 |
55%
|
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Surfaces, Coatings and Films | Q2 | 61 / 132 |
54%
|
| 大類：Physics and Astronomy 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials | Q2 | 133 / 284 |
53%
|
CiteScore值計算方式：例如2024公布的CiteScore是將統(tǒng)計在 2020年-2023年間年所發(fā)表文章的引用次數(shù)除以在 2020年-2023年間所發(fā)表的發(fā)文總數(shù)。
CiteScore數(shù)據(jù)來源：是由全球著名學(xué)術(shù)出版商Elsevier（愛思唯爾）基于其Scopus數(shù)據(jù)庫推出的期刊評價指標(biāo)。CiteScore指數(shù)以四年區(qū)間為基準(zhǔn)來計算每本期刊的平均被引用次數(shù)，并提供期刊領(lǐng)域排名、期刊分區(qū)的相關(guān)信息，它的作用是測量期刊的篇均影響力。
近年中科院分區(qū)趨勢圖
近年IF值(影響因子)趨勢圖
影響因子：是美國科學(xué)信息研究所(ISI)的期刊引證報告(JCR)中的一項數(shù)據(jù)。指的是某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)。自1975年以來，每年定期發(fā)布于“期刊引證報告”(JCR)。
| 文章引用名稱 | 引用次數(shù) |
| Programmable multi-direction... | 13 |
| Performance improvement of n... | 12 |
| A survey of single and multi... | 12 |
| Classical and fractional-ord... | 9 |
| Wearable technologies for ha... | 9 |
| Electronically reconfigurabl... | 8 |
| Fractional-order band-pass f... | 7 |
| Entanglement and physical at... | 7 |
| Multi stage OTA design: From... | 7 |
| Memristor-CNTFET based terna... | 7 |
| 被引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| MICROELECTRON J | 225 |
| AEU-INT J ELECTRON C | 129 |
| ANALOG INTEGR CIRC S | 105 |
| J CIRCUIT SYST COMP | 85 |
| IEEE ACCESS | 72 |
| CIRC SYST SIGNAL PR | 53 |
| INT J THEOR PHYS | 44 |
| IET CIRC DEVICE SYST | 43 |
| SENSORS-BASEL | 43 |
| INTEGRATION | 41 |
| 引用期刊名稱 | 數(shù)量 |
| IEEE J SOLID-ST CIRC | 377 |
| MICROELECTRON J | 225 |
| IEEE T CIRCUITS-I | 195 |
| IEEE T ELECTRON DEV | 156 |
| IEEE T CIRCUITS-II | 127 |
| AEU-INT J ELECTRON C | 117 |
| IEEE T VLSI SYST | 107 |
| ELECTRON LETT | 95 |
| IEEE T MICROW THEORY | 88 |
| IEEE ELECTR DEVICE L | 80 |
1、建議稿件控制10頁以上，文章撰寫語言為英語；（單欄格式，單倍行距，內(nèi)容10號字體，文稿類型包含：原創(chuàng)研究(Original Research)、案例報告(Case Report)、文獻(xiàn)綜述(Literature Review)等；文件格式包含word、PDF、LaTeX等。
2、稿件重復(fù)率控制10%以內(nèi)，論文務(wù)必保證原創(chuàng)性、圖標(biāo)、公式、引文等要素齊備，保證附屬資料的完整。已發(fā)表或引用過度的文章將不會被出版和檢索，禁止一稿多投，拒絕抄襲、機(jī)械性的稿件。
3、稿件必須有較好的英語表達(dá)水平，有圖，有表，有公式，有數(shù)據(jù)或設(shè)計，有算法（方案，模型），實驗，仿真等；參考文獻(xiàn)控制25條以上，參考文獻(xiàn)引用一半以上控制在近5年以內(nèi)。
圖片和圖表要求：1、建議使用TIFF、EPS、JPEG格式 ，TIFF格式 使用LZW壓縮。
2、文件大小最大不超過20MB，不要以單個文件的形式上傳數(shù)據(jù)。
3、彩色圖片的分辨率≥300dpi；黑白圖片的分辨率在≥500dpi；line art圖片類型的分辨率≥1000dpi；色彩模式建議采用RGB，除非期刊注明要CMYK。
4、線條不要細(xì)于0.25pt,也不能太粗，超過1.5pt,過細(xì)或過粗都影響美觀。
5、表格一般和manuscrript放置在一個word文檔里部分期刊 需要單獨上傳表格。
作者信息：1、包括作者姓名、最高學(xué)位，作者單位（精確到部門），郵箱，地址，郵編，關(guān)鍵詞，內(nèi)容，總結(jié)，項目基金，參考文獻(xiàn)，作者相片+簡介（一定要確保作者信息準(zhǔn)確無誤，提交稿件之后這部分不能再作改動）。
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